浏览次数:618

1700℃三温区双通道混气低真空 CVD系统TP-1700-T3Z2D(一体机)

TP-1700-T3Z2D是一款1700℃三温区双通道混气真空CVD系统,主要用于半导体、光电子、纳米材料等领域的薄膜沉积。


技术资料

相关产品

应用领域

电子行业: 用于制备各种金属薄膜、氧化物薄膜、导电膜等;

半导体行业: 用于制备多层膜、二氧化硅薄膜、氮化物薄膜等;

光学行业: 用于制备各种光学薄膜、增透膜、反射膜等,其他领域:如生物医学、新能源材料等领域也有广泛的应用

产品特点

高效率: 采用CVD气相沉积技术,可以在短时间内实现高质量的薄膜沉积;

精准控制:通过调节气体流量、温度、压力等参数,可以实现对沉积速度和沉积厚度的精准控制;

可定制性:可根据客户需求,定制不同的沉积模板和沉积条件,以满足不同材料的制备要求

操作简便:自动化控制系统和友好的人机界面,使得操作更加简单方便

加热系统

设备功率:380V   10KW

炉膛材质:高纯氧化铝纤维材料

加热元件:硅钼棒(14根)

可达温度:1700℃(<1小时)

连续温度:1550℃(连续)

温度精度:±1℃

热电偶:B型热电偶(3根)

推荐升温速率:0-1000℃≤10℃/分钟,   1000-1400℃≤5℃/分钟   1400-1650℃≤3℃/分钟

加热区尺寸:Φ110mm*(150+230+150mm)

炉管与法兰

标配Φ60*1000mm高纯刚玉管一根,可选配Φ50/Φ80/Φ100*1000mm的刚玉管

标配一套不锈钢密封法兰;采用硅胶密封圈密封,包含铠装测温接口(Φ8m)漏率达5X10-9 Pam3/s;

采用带有减震油的机械压力表,使压力波动时产生阻尼,减小指针来回摆动

为了获得抽气速率可以选配KF25或KF40接头法兰

供气系统

设备含两路质量流量控制器(50、100、200、500Sccm可选)

压差范围:0.05-0.4MPa

精度:±1% FS

重复精度:±0.2% FS

接口尺寸:Φ6.35mm双卡套接头

连接管道:采用洁净抛光的气路专用耐腐不锈钢管

接口尺寸:6.35mm双卡套连接

·金属管路:材质:SUS316 φ外:6.35mm φ内:4mm

真空系统

真空度:采用机械泵组可达到5*10-1Pa(标配)

抽速m/h(L/s):4(1.1)

极限分压强-无气镇(Pa):5×10-2

进排气连接口DN(mm):KF25

用油量(L):0.6L

压阻皮拉尼复合型规管:

测量范围:1.0×10-2~1.067×105Pa

测量精度:1.0*103Pa ~1.067*105 Pa   ±0.15%的满量程

1.0×10-1~1.0×102Pa   ±10%的读数

高真空手动挡板阀:KD25

波纹管:KF25*800

油雾过滤器:KF25

卡箍及链接管件(焊接):采用KF25全不锈钢,电抛光制作,零件焊接漏率优于1×10-9Pa.m3/s

控制系统
可预存15条温度曲线,避免不同的实验工艺重复设置带来的麻烦
工艺存储界面.jpg工艺曲线.jpg
嵌入式操作系统中英文互换图形界面,7寸真彩触屏输入,智能式人机对话模式,实验过程更加直观,操作更加便捷
加热中.bmp
非线性式样温度修正;具有预约启动功能
非线性温度修正.jpg预约界面.jpg
具有超温报警、断偶提示、漏电保护等功能
热电偶断线.jpg温区超温.jpg
外形尺寸1690mm*1410mm*765mm
质保

一年保修,终身技术支持。

特别提示:1.耗材部分如加热元件,炉管,样品坩埚等不包含在内。

                   2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。