1500℃ 单温区双通道混气低真空 CVD系统TP-1500-TZ2D(一体机)

TP-1500-TZ2D是一款1500℃单温区双通道混气真空CVD系统，主要用于半导体、光电子、纳米材料等领域的薄膜沉积。

400-878-2836

技术资料

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应用领域	1、电子行业: 用于制备各种金属薄膜、氧化物薄膜、导电膜等: 2、半导体行业: 用于制备多层膜、二氧化硅薄膜、氮化物薄膜等 3、光学行业: 用于制备各种光学薄膜、增透膜、反射膜等，其他领域:如生物医学、新能源材料等领域也有广泛的应用
产品特点	1、高效率: 采用CVD气相沉积技术，可以在短时间内实现高质量的薄膜沉积， 2、精准控制:通过调节气体流量、温度、压力等参数，可以实现对沉积速度和沉积厚度的精准控制 3、可定制性:可根据客户需求，定制不同的沉积模板和沉积条件，以满足不同材料的制备要求 4、操作简便:自动化控制系统和友好的人机界面，使得操作更加简单方便
加热炉参数	设备功率：220V 4KW 炉膛材质：高纯氧化铝纤维材料加热元件：硅碳棒（8根）可达温度：1500℃（<1小时）连续温度：1450℃（连续）温度精度：±1℃ 热电偶:S型热电偶推荐升温速率：0-1000℃≤10℃/分钟， 1000-1400℃≤5℃/分钟炉膛尺寸：Φ150mm*310mm 加热区长度：310mm
炉管与法兰	标配Φ601000mm高纯刚玉管一根，可选配Φ50/Φ80/Φ1001000mm的石英管标配一套不锈钢密封法兰;采用硅胶密封圈密封,包含铠装测温接口（Φ8m）漏率达5X10^-9 Pam3/s；采用带有减震油的机械压力表，使压力波动时产生阻尼，减小指针来回摆动选配KF25或KF40接头
真空系统	真空度：采用机械泵组可达到510^-1Pa（标配）抽速m/h(L/s)：4(1.1) 极限分压强-无气镇（Pa）：5×10-² 进排气连接口DN(mm）：KF25 用油量（L)：0.6L 压阻皮拉尼复合型规管：测量范围：1.0×10^-2～1.067×10⁵Pa 测量精度：1.010³Pa ~1.06710⁵ Pa ±0.15%的满量程 1.0×10^-1～1.0×10²Pa ±10%的读数高真空手动挡板阀：KD25 波纹管：KF25800 油雾过滤器：KF25 卡箍及链接管件(焊接）：采用KF25全不锈钢，电抛光制作，零件焊接漏率优于1×10-9Pa.m3/s
供气系统	设备含两路质量流量控制器（50、100、200、500Sccm可选）压差范围：0.05-0.4MPa 精度：±1% FS 重复精度：±0.2% FS 接口尺寸：Φ6.35mm双卡套接头连接管道：采用洁净抛光的气路专用耐腐不锈钢管接口尺寸：6.35mm双卡套连接金属管路：材质：SUS316 φ外：6.35mm φ内：4mm
控制系统	可预存15条温度曲线，避免不同的实验工艺重复设置带来的麻烦

	嵌入式操作系统中英文互换图形界面，7寸真彩触屏输入，智能式人机对话模式实验过程更加直观，操作更加便捷；

	非线性式样温度修正；具有预约启动功能

	具有超温报警、断偶提示、漏电保护等功能

产品尺寸	1100mm1250mm750mm
重量	kg
质保	一年保修，终身技术支持。特别提示：1.耗材部分如加热元件，炉管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。