1200℃双温区双通道混气高真空 CVD系统OP-1200-T2Z2G(一体 机)
OP-1200-T2Z2G是一款1200℃双温区双通道混气真空CVD系统,主要用于半导体、光电子、纳米材料等领域的薄膜沉积。
技术资料
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| 应用领域 | 1、电子行业: 用于制备各种金属薄膜、氧化物薄膜、导电膜等: 2、半导体行业: 用于制备多层膜、二氧化硅薄膜、氮化物薄膜等 3、光学行业: 用于制备各种光学薄膜、增透膜、反射膜等,其他领域:如生物医学、新能源材料等领域也有广泛的应 | |
产品特点 | 1、高效率: 采用CVD气相沉积技术,可以在短时间内实现高质量的薄膜沉积, 2、精准控制:通过调节气体流量、温度、压力等参数,可以实现对沉积速度和沉积厚度的精准控制 3、可定制性:可根据客户需求,定制不同的沉积模板和沉积条件,以满足不同材料的制备要求 4、操作简便:自动化控制系统和友好的人机界面,使得操作更加简单方便 | |
加热炉参数 | 功率:220V 4KW 炉膛材质:高纯氧化铝多晶纤维材料+氧化铝涂层材料 炉膛结构:双层壳体加风冷隔热 加热元件:进口HRE高温合金电阻丝 可达温度:1200℃(<1小时) 连续温度:1150℃(连续) 温度精度:±1℃ 热电偶:K型热电偶(1根) 推荐升温速率:≤20℃/分钟 加热区尺寸:200+200(400mm) | |
| 炉管与法兰 | 标配Φ60*1000mm高纯石英管一根,可选配Φ50/Φ80/Φ100*1000mm的石英管 标配一套不锈钢密封法兰;采用硅胶密封圈密封,包含铠装测温接口(Φ8m)漏率达5X10-9 Pam3/s; 采用带有减震油的机械压力表,使压力波动时产生阻尼,减小指针来回摆动 选配KF25或KF40接头 | |
真空系统 | 真空度:采用分子泵组可达到5*10-3Pa(标配) 1. 机械泵: 抽气速率:4L/S; 电机功率:400W; 极限压强6X10-2Pa 2. 分子泵: 抽气速率:100L/S; 极限压强:6X10-6Pa; 额定转速:43000转/分; 冷却方式::风冷/水冷 3. 分子泵控制电源: 电压:220V; 输出功率 50W; 输出频率:高速704Hz±10%; 低速430 Hz±10% 4. 复合真空计: 工作电电压:220V 50~60HZ; 电阻规阻值:约85 欧; 自动保护(电离)>10Pa; 电离规管测量范围:100~1.0*10-5Pa; 电阻规管测量范围:105 ~10-1 pa; 5. 高真空手动隔断阀: 采用氟胶圈密封,快卸法兰接口,漏率达5X10-9 Pam3/s 6. 连接管路 采用全不锈钢,电抛光制作,零件焊接漏率优于1×10-9Pa.m3/s | |
供气系统 | ▪ 两通道进口品牌质量流量计控制系统可实现气体流量的精确控制(精确度:±0.01%); ▪ 量程可选范围:(50/100/200/500/1000SCCM) ▪ 压差范围:0.05-0.4MPa ▪ 精度:±1% FS ▪ 重复精度:±0.2% FS ▪ 气体进出口配件:Φ6.35mm的聚四氟管或不锈钢管; ▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出; ▪ 集成式PLC触摸屏可以统一简便地进行气体流量设置。 | |
| 控制系统 | 可预存15条温度曲线,避免不同的实验工艺重复设置带来的麻烦 | |
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| 嵌入式操作系统中英文互换图形界面,7寸真彩触屏输入,智能式人机对话模式实验过程更加直观,操作更加便捷; | ||
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| 非线性式样温度修正;具有预约启动功能 | ||
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| 具有超温报警、断偶提示、漏电保护等功能 | ||
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| 产品尺寸 | 1100mm*1250mm*750mm | |
| 重量 | kg | |
| 质保 | 一年保修,终身技术支持。 特别提示:1.耗材部分如加热元件,炉管,样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 | |
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