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技术资料
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| 产品名称 | Ga:ZnO晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：六方晶系 晶格常数： a= 3.252 Å , c = 5.313 Å 熔点：1975℃ 硬度：4 Mohs 密度：~5.7 g/cm3 带隙：3.37eV 介电常数：8.5 比热容：0.125 cal/gm 导电性：N type 导热系数：0.006 cal/cm/ oK 热膨胀系数：2.90 x 10-6/oK 位错密度：< 4 x 104 /cm2 |
| 产品规格 | 常规晶向： (0001) 常规尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm 表面粗糙度：<5A 注：尺寸可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室100级超净袋真空包装 |
