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CdZnTe晶体

CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体,改变Zn的组分,其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调,与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好。有良好的导电性能;较高的吸收系数;温和的热膨胀性;

技术资料

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产品名称

Cd1-xZnxTe晶体基片

技术参数

晶体结构:立方晶系

晶格常数:a = 6.483 – 6.446Å

密度:5.605g/cm3

熔点:1975℃

热导率:30W /m.k at 300K

热膨胀系数:6.5 // a  3.7 // c 10-6/K

透过波长:0.4 ~ 0.6μm                  

产品规格

常规晶向:(111)

型号:P型   其中Zn占14%

电阻率:1*10(6)

常规尺寸:10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm

抛光情况:单抛、双抛

抛光面粗糙度:<15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装