实现二碲化钼纳米片（MoTe2）纳米片的最大潜力需要一种可靠的合成方法来控制其相结构和均匀的大面积生长。建立MoTe2纳米片的单阶段合成工艺仍然是其工业应用的最大障碍之一。将大面积MoTe2纳米片纳入各种可能的应用中，需要对可变的相变和生长因素有一个彻底的了解。

在这种情况下，通过对预沉积的钼薄膜进行碲化处理的化学气相沉积（CVD）是制造大规模MoTe2纳米片的一种直接和通用的方法。在CVD过程中，通过精确控制MoTe2晶体发展的动力学和热力学，可以生产1T'和2H-MoTe2纳米片。

在样品表面的不同区域拍摄的MoTe2的拉曼光谱图片，Tummala, P. P. et al., Advanced Materials Interfaces

当前研究的亮点，在这项研究中，研究人员进行了一系列的化学气相沉积实验，以生成MoTe2纳米片，作为碲强度梯度和衬底排列的组合。

利用CVD工艺，研究人员通过分析反应界面上的碲化动态，展示了一种在广大区域内均匀发展MoTe2纳米片的直接和可重复方法。研究人员评估了预沉积钼片的两种几何组合，即在平坦和倾斜环境下的倾斜度。

研究人员基于有限元方法（FEM）的模拟来预测相关的生长拓扑结构，并将它们与在相同情况下生产的MoTe2薄膜的实际结果联系起来。

一些表征技术，包括原子力显微镜（AFM）和显微拉曼光谱，被用来验证所生产的二碲化钼纳米片的方向、清洁度和均匀性。

MoTe2纳米片的HR-TEM HAADF截面，Tummala, P. P. et al., Advanced Materials Interfaces

计算结果与实验数据一起，对于理解基于CVD的MoTe2形成所涉及的动力学是至关重要的。这些协同建模和实验室研究结果表明，除了碲数量之外，发展过程中的基材倾斜度强烈地决定了反应位置的碲蒸汽强度梯度，从而可以密切控制MoTe2的结构和形态。

基于这些结果，研究人员得出结论，这项研究为可扩展的1T'和2H-MoTe2纳入创新纳米电子学、光电子学、光谱学和热力学装置的应用提供了一个支点机制。此外，这项研究描述了一种可能被视为高效、灵活和相对容易的选择的技术，允许规范开发和改善TMD的特征。（来源：AZoNano）