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ZnO 晶体基片
ZnO晶体基片，化学式为ZnO，是一种直接带隙的宽禁带半导体材料。这种晶体具有优秀的物理性质和多样的功能，如发光、电光、闪烁等。特别的，ZnO晶体的导带底和价带顶都位于布里渊区中心 Γ 点处，室温下的带隙宽度（实验值）为3.376eV。
在具体应用方面，ZnO单晶基片是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，特别适用于短波长发光器件，例如LEDs和LDs。此外，ZnO还因其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性，有望用于高峰值能量的能量限制器。
技术资料
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| 产品名称 | ZnO 晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：六方晶系 晶格常数：a=3.325 Å c=5.213 Å 密度：5.605 g/cm3 晶体纯度：99.99% 介电常数：8.5 熔点：1975℃ 莫氏硬度：4 热膨胀系数(10-6/K)：6.5// a 3.7// c 热容：0.125(J /g.k) 透过波长：0.4~0.6um 热导率：30W/(m.k) at300K 生长方式：水热法 |
| 产品规格 | 常规晶向：<0001>、<11-20>、<10-10> 常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm 20x20x0.5mm、20x20x1.0mm 晶体粗糙度：<5A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
