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技术资料
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| 产品名称 | Si 单晶基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：立方晶系 晶格常数：a=5.4301 Å 掺杂类型：N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B 硬度（mohs):6.5 电阻率：10000～0.001Ω.cm 超导率（w/m.k):149 密度：2.329（g/cm3） 熔点：1414℃ 热膨胀系数（/k):2.6×10-6 生长方法：CZ和FZ |
| 产品规格 | 常规晶向 常规尺寸：Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm 抛光情况：单抛、双抛、细磨 抛光面粗糙度：< 10A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷. |
| 标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
