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MgO:LiNbO3晶片
纯同成份铌酸锂晶体的缺点是抗激光损伤阙值很低，这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后，所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级，极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm，紫外吸收边紫移至310mm，OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
技术资料
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| 产品名称 | 光学级掺镁铌酸锂（MgO:LiNbO3)晶片 |
| 产品规格 | 晶体结构：三方晶系 晶格常数：a=5.147Å c=13.856Å 密度：4.7g/cm3 熔点：1253℃ 生长方法：提拉法 |
| 产品规格： | 常规晶向：Z cut 晶向公差：±0.5° 常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm 抛光情况：单抛、双抛、细磨 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷： | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
