MoTe2晶体应用于半导体电子器件、光学器件等研究。
MoTe2二碲化钼
类型：CVD法人工合
成纯度：>99.99％
外观：黑色
电导：半导体
带隙：块体直接带隙 0.8 eV，单层直接带隙 1.24 eV
常规尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米
晶体结构：六方晶系
生长方法：化学气相传输
晶体常数：a=b=3.83Å c=13.96Å α=β=90° γ=120°
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
A-Z系列晶体
