技术资料
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| 产品名称 | LaF3晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构:三方晶系 晶格常数: a=7.190 Å c=7.367 Å 纯度:99.99% 密度:5.936 g/cm3 硬度:4.5 Mohs 熔点:1493℃ 生长方向:<0001> 热膨胀系数:11.9 x10-6/ K // c 15.8 x10-6/ K // a 热导率:5.1 W / m.k @ 300K 光传输范围:Up to 10.5 micron wavelength 折射率 no : 1.63 ne: 1.597 生长方法:提拉法 |
| 产品规格 | 常规晶向: <10-10>、<11-20>、<0001> 常规尺寸:10x10x0.5mm 抛光情况:单抛、双抛 |
| 标准包装 | 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |