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技术资料
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| 产品名称 | 磷化铟(InP)晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：立方晶系 晶格常数： a =5.4505 Å 掺杂：None；Sn；S；Fe：Zn 密度：4.81g/cm3 硬度：3 Mohs 导电类型：N；N；N；Si；P 折射率：3.45 载流子浓度：1-2x1016 1-3x10181-4x1018 .6-4x1018 位错密度：<5x104 cm-2 生长方法：LEC 熔点：1062℃ 弹性模量：7.1E11dyn cm-2 |
| 产品规格 | 常规晶向： <100> <111> 常规尺寸：2"x0.5mm 10x10x0.5mm 抛光情况：单抛 表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工金属单晶存在常见晶体缺陷，表面可能会有小黑点，微小气泡等 |
| 标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
