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技术资料
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| 产品名称 | Ge晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：立方晶系 晶格常数：5.6754 Å 密度：5.323 g/cm3 熔点：937.4 ℃ 介电常数：16.2 热导率（w/m·k）：60.2 掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga； 类型：N型 和 P型 电阻率 W·cm：>35 0.05 0.05-0.1 EPD:< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2 生长方法：直拉法 |
| 产品规格 | 常规晶向：<100>、<110>、<111> 晶向公差：±0.5° 常规尺寸：10x10x0.5mm，10x5x0.5mm,dia2",dia3" 抛光情况：单抛、双抛 表面粗糙度：< 5A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
