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GaAs晶体
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
技术资料
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| 产品名称 | 砷化镓(GaAs)晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：立方晶系 晶格常数：a=5.6534Å 导电类型：N型掺Si；N型掺Te；不掺杂；P型掺Ga 熔点：1237°C 禁带宽度:1.4电子伏 介电常数：13.1 位错密度：<5x103cm^2 等 迁移率：(3500-3600)cm2/vs 等 生长方法:VGF生产方法 |
| 产品规格 | 常规晶向： <100>、<110>、<111> 常规尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm； 抛光情况：单抛、双抛 表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室100级超净袋 |
