GaSb晶体

GaSb单晶由于其晶格常数与带系在 0.8~4.3um宽光谱范围内的各种三元和四元，III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，因为GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

产品名称	锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数	晶体结构：立方晶系晶格常数：6.095Å 硬度（Mohs）4.5 密度：5.619 g/cm³ 熔点：710℃ 介电常数：15.7 热膨胀系数：6.1×10^-6/oK 热导率：270 mW / cm.k at 300K 掺杂类型：N型掺Te；P型不掺杂载流子浓度：1-2x10¹⁷ 1-5x10¹⁶ 1-5x10¹⁸ 2-6x10¹⁷ 1-5x10¹⁶ 位错密度：<103 cm^-2 生长方法：LEC
产品规格	常规晶向：（100）、（110）、（111）常规尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm 抛光情况：单抛表面粗糙度：<15A 注：尺寸及方向可按照客户要求定做。
晶体缺陷	人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

A-Z系列晶体