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ß-Ga2O3单晶基片
ß-Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。
技术资料
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| 产品名称 | ß-Ga2O3单晶基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：单斜晶系 晶格常数：a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ß=103.7° 密度：5.95g/cm3 熔点：1725℃ 掺杂类型：N型 电阻率：R≤0.2Ω·cm 迁移率：300cm2/v·s 禁带宽：4.8-4.9V |
| 产品规格 | 常规晶向： (100) 常规尺寸：10x10x0.7-0.8mm. 抛光情况：单抛、双抛 表面粗糙度：<15A 注：尺寸可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室100级超净袋真空包装 |
