浏览次数：257
GaN晶体
GaN晶体氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率，近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注，是目前最优秀的半导体材料。
技术资料
相关产品
| 产品名称 | 氮化镓(GaN)晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：六方晶系 晶格常数a= 3.186 Å , c = 5.186 Å 传导类型：N型掺Si；N型不掺杂 可用表面积：>90% 位错密度：（5-9）x105Ω.cm 电阻率：R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm 介电常数：8.9 TTV：≤15um 密度：6.15（g/cm3） 生长方法：HVPE（氢化物气相外延法） |
| 产品规格 | 常规晶向： (0001) 常规尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm 表面粗糙度：<5Å 注：尺寸可按照客户要求定做。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
