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BN晶体
六方氮化硼(h-BN)是理想的二维材料。h-BN在1566 cm-1处呈强拉曼峰，FWHM小于5cm-1。它显示5.9 eV带隙，被认为是宽带带隙绝缘体。应用于半导体电子器件、光学器件，和绝缘导热衬底的研究。
技术资料
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| 产品简介 | 氮化硼（BN）晶体 |
| 技术参数 | 晶体结构：六方晶系 纯度：>99.999％ 颜色：白色或透明 电导：绝缘体 禁带宽度：≈5.9eV 生长方法： CVD法人工合成 |
| 产品规格 | 常规尺寸每片都是0.6-1mm不规则片。 注意事项 ：不要接触水和空气不要长时间的暴露在空气中，尽量戴手套在手套箱里操作 |
| 标准包装 | 100级超净袋、盒子真空包装。 |
