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BGO晶体
锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。
技术资料
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| 产品名称 | 锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片 |
| 技术参数 | 晶体结构：立方晶系 晶格常数：a=10.518Å 纯度：>99.99％ 密度：7.12g/cm3 硬度：5( mohs) 熔点：1050 ℃ 透过范围：350~5500nm 电光系数 ： r41=1.03x10-12m/V 折射率： 2.098@ 632.8nm 激发光谱： 305nm 临界能量： 10.5Mev 能量分辨率： 20%511 keV @ 生长方法：提拉法 |
| 产品规格 | 常规晶向：（100） 晶向公差：±0.5° 内常规尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm 抛光情况：单抛、双抛 抛光面粗糙度：Ra<5A 注：可按照客户要求加工尺寸和晶向。 |
| 晶体缺陷 | 人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。 |
| 标准包装 | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
